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英飞凌代工厂最高涨价50%;美光英特尔美国会作证;NAND资本支出达299亿美元

发布时间2022-3-18 16:30:00关键词:英飞凌代工厂最高涨价50%;美光英特尔美国会作证;NAND资本支出达299亿美元
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今日热点

1. 传美光与英特尔将赴国会作证,DRAM行情将触底

2. 机构:今年全球NAND闪存资本支出将涨至299亿美元

3. 智能手机需求弱+芯片短缺,DRAM价格未上扬

4. 英飞凌代工厂最高涨价50%_

01

传美光与英特尔将赴国会作证,DRAM行情将触底

据路透社16日援引消息人士报道,美光、英特尔CEO预定3月23日前往美国参议院商务委员会作证,据传会探讨半导体供应链的弱点,以及产业跟美国竞争力有何关联。

值得一提的是,美国总统上周才跟包括三星电子、美光在内的企业高层见面,希望敦促国会通过520亿美元的芯片补助法案,藉以缓解芯片短缺问题。

另一方面,The Motley Fool、StreetInsider.com 16日报道,半导体类股近来因股价偏高,俄乌战争可能削弱芯片需求而大幅走低,美光过去一个月已大跌19%。

不过,Bernstein分析师Mark Li 16日新发表的研究报告指出,市场担心过头,美光股价近来走软,刚好为投资人创造极佳买进良机。Li表示,虽然疑虑促使美光股票遭抛售,但存储市场就算要修正,也不会延续太久。

The Fly则引述Li指出,DRAM景气循环有望在接下来两季触底,预测俄罗斯或乌克兰近期不太可能严重干扰供应链或破坏需求。

02

机构:今年全球NAND闪存资本支出将涨至299亿美元

近日,IC Insights发布了2022年《麦克林报告》第一季度更新。对未来的半导体产能、DRAM、闪存、MCU、MPU和模拟芯片细分市场做了详细预测。

IC Insights预测今年NAND闪存资本支出将增长8%至299亿美元,超过2018年278亿美元的历史最高记录。闪存资本支出在2017年飙升,当时该行业向3D NAND转型,此后每年都超过200亿美元。2022年,闪存的资本支出预计将增至299亿美元,因为大型供应商和小型供应商将保持适度激进的支出水平。

299亿美元的支出占2022年整个集成电路行业资本支出1904亿美元的16%,仅落后于晶圆代工,这一部分预计将占今年行业资本支出的41%。

03

智能手机需求弱+芯片短缺,DRAM价格未上扬

据日经新闻报道,因中国智能手机需求疲弱,DRAM价格未能呈现上扬趋势。2022年2月份主流品指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个3.1美元左右,容量较小的4Gb产品价格为每个2.5美元。报道指出,除中国智能手机需求弱之外,全球芯片短缺也对DRAM价格造成影响。因无法确保MCU等存储以外的半导体,让家电厂商抑制生产,因而暂缓存储采购。

关于今后的价格动向,半导体商社表示「若来自数据中心的需求增加的话,DRAM价格有望上涨」。

04

英飞凌代工厂最高涨价50%_

据台媒《经济日报》报道,供应链传出消息,受惠于车用MOSFET等功率半导体需求强劲,加上6英寸芯片代工厂产能满载,汉磊作为芯片代工厂,将针对大客户英飞凌全面调涨报价,幅度最高达50%,同时积极扩大第三代半导体碳化硅(SiC)的产能。